마이크로 LED 돌파구, 격자 전력, 실리콘 기판 InGaN 기반 트리플 컬러 에피택시 출시

최근 Lattice Power는 12 인치 실리콘 기판에 3 원색 Micro LED 에피택셜 기술의 InGaN 기반 빨강, 녹색 및 파랑 시리즈의 결과를 발표했습니다.

12 인치 실리콘 기판 빨강, 녹색 및 파랑 빛의 격자 전력 디스플레이 InGaN 기반 LED Epitaxial 웨이퍼 빠른 체크 EL 조명 효과

Lattice Power는 2006 년에 설립되었으며 기본 칩 코어 기술을 갖춘 전체 산업 체인 IDM 반도체 광전자 제품 공급 업체라고합니다. 글로벌 고객에게 고품질 LED (에피택셜, 칩, 패키징 및 모듈) 광원 및 감지 센서 제품 및 솔루션을 제공합니다.

거의 20 년의 실리콘 기판 GaN 기반 LED 기술과 산업 축적을 기반으로 Crystal Energy Optoelectronics는 빠르면 2020 8 인치 실리콘 기판 InGaN 적색 광 에피택셜 기술을 출시했습니다. 현재 InGaN 적색 광 효율을 향상시키기 위해 지속적으로 연구하고 개발하고 있습니다.
2021 년 9 월 Crystal Energy Optoelectronics는 25 마이크론의 픽셀 간격과 1000PPI 의 픽셀 밀도를 가진 실리콘 기판 InGaN 적색, 녹색 및 청색 마이크로 LED 어레이를 성공적으로 준비했습니다. 현재 픽셀 간격의 중요한 기술적 지표는 8 마이크로 미터로 축소되었습니다.

2022 년 Crystal Energy Optoelectronics는 8 인치 실리콘 기판에 InGaN 기반 삼색 마이크로 LED 에피택시의 핵심 기술을 돌파하고 5 미크론 피치 마이크로 LED 삼색 어레이를 성공적으로 준비했습니다. 신흥 시장으로 적극적으로 확장.

Lattice Power는 비용과 수율로 인해 대형 웨이퍼로의 업그레이드가 Micro LED의 산업화에서 확실한 개발 추세가되었다고 말했습니다. 또한 실리콘 기판에 대한 GaN 기반 LED 기술 분야에서 회사의 지속적인 혁신 추구와 일치합니다. 대형 웨이퍼는 마이크로 LED 에피 택셜 웨이퍼 및 CMOS 백플레인의 사용률을 크게 향상시킬뿐만 아니라 성숙한 실리콘 IC 장치 및 프로세스와의 호환성을 촉진하고 마이크로 LED 공정 효율을 향상시킵니다. 비용을 절감하고 Micro LED 기술의 상업적 프로세스를 가속화합니다.

Lattice Power의 부사장 인 Fu Yi 박사에 따르면 대형 실리콘 기판에서 Micro LED의 에피 택셜 성장은 GaN 결정 품질과 같은 핵심 기술 개발에 더 엄격한 도전을 제기합니다. 에피택셜 뒤틀림, 외부 양자 효율, 광전 일관성 및 InGaN 레드 MQW.
InGaN 기반의 산업화 및 에피 택셜 기술의 출시 빨강, 녹색, 12 인치 실리콘 기판의 파란색 마이크로 LED는 Jingneng Optoelectronics가 실리콘 기판 GaN 기반 LED 기술에서 혁신적이고 반복적 인 기능을 활용했음을 나타냅니다. 위에서 언급 한 주요 기술적 과제를 미리 극복했습니다. 후속 기술 및 프로세스의 최적화 및 개선을위한 길을 닦습니다.

Lattice Power는 또한 올해 Apple의 Vision Pro 출시가 글로벌 AR/VR 산업에 더 높은 인기를 가져 왔지만 Vision Pro는 종말점이 될 수 없다고 밝혔다. 가볍고 효율적인 웨어러블 디스플레이 기술에 대한 사람들의 기대는 점점 더 열정적으로 변하고 있으며, 이는 다양한 마이크로 디스플레이 기술의 혁신과 적용을 크게 촉진 할 것입니다.

대형 실리콘 기판을 기반으로 한 마이크로 LED 공정 경로는 비용, 수율 및 광 효율 측면에서 큰 잠재력을 가지고 있습니다. 마이크로 미터 레벨 마이크로 LED의 주류 산업화 경로가 될 것으로 예상됩니다. 12 인치 실리콘 기판의 3 원색 마이크로 LED 에피택셜 기술의 돌파구는이 방향으로 마이크로 LED 디스플레이 기술의 발전을 효과적으로 촉진 할 것입니다.